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全球要聞:盤中暴漲22%!10年長單引爆碳化硅龍頭股價 整車平臺高壓化或成主要驅(qū)動

來源:互聯(lián)網(wǎng) 時間:2023-07-06 11:15:39


①根據(jù)協(xié)議,Wolfspeed將在2025年向瑞薩供應(yīng)6英寸碳化硅襯底與外延片,且公司北卡羅來納州廠全面運作之后,還將向其供應(yīng)8英寸碳化硅襯底與外延片;


【資料圖】

②德國汽車零部件制造商緯湃科技近期與羅姆、安森美相繼簽下碳化硅產(chǎn)品采購長單;

③從應(yīng)用端來說,碳化硅也在加速“上車”。

碳化硅行業(yè)迎來一筆大單。

全球碳化硅襯底市占率第一的Wolfspeed與瑞薩電子5日宣布,已簽署為期10年的碳化硅晶圓供應(yīng)協(xié)議

根據(jù)協(xié)議,Wolfspeed將在2025年向瑞薩供應(yīng)6英寸碳化硅襯底與外延片;且公司北卡羅來納州廠全面運作之后,將向瑞薩供應(yīng)8英寸碳化硅襯底與外延片。

瑞薩已向Wolfspeed支付了20億美元的定金,用于確保6英寸/8英寸碳化硅晶圓的供應(yīng),并支持Wolfspeed在美國的產(chǎn)能擴張計劃。

這項協(xié)議將有助于推進碳化硅在汽車、工業(yè)和能源領(lǐng)域的應(yīng)用。

受此消息影響,當(dāng)?shù)貢r間7月5日,Wolfspeed大幅高開,盤中一度漲超22%,最終收漲11.02%,報62.99美元/股。

10年長單的背后,離不開終端應(yīng)用需求上漲。例如,碳化硅近期正加速“上車”

近期上市的小鵬G6搭載了800V碳化硅高壓平臺;理想汽車也研發(fā)了800V高壓平臺和5C電池,并推出動力系統(tǒng)易四方平臺,而易四方平臺全系列車型標(biāo)配碳化硅電控。

位于產(chǎn)業(yè)鏈中游的德國汽車零部件制造商緯湃科技也在近期簽下兩項碳化硅產(chǎn)品采購長單

6月下旬,其與羅姆簽下碳化硅功率器件長期合作協(xié)議,雙方在2024-2030年間的交易額將超過1300億日元。緯湃科技將在逆變器中集成羅姆的碳化硅半導(dǎo)體,并應(yīng)用于電動汽車動力系統(tǒng)。

5月31日,安森美也與緯湃科技宣布了一項碳化硅產(chǎn)品10年期供應(yīng)協(xié)議,協(xié)議價值19億美元。緯湃科技將向安森美提供2.5億美元投資,用于采購碳化硅生產(chǎn)相關(guān)設(shè)備,以提前鎖定后者的碳化硅產(chǎn)能。

另外,6月7日,三安光電與意法半導(dǎo)體宣布,將攜手成立一家合資制造廠,大規(guī)模量產(chǎn)8英寸碳化硅產(chǎn)品,建設(shè)總額預(yù)計為32億美元,預(yù)計2025年完成階段性建設(shè)并逐步投產(chǎn),2028年達產(chǎn),規(guī)劃達產(chǎn)后生產(chǎn)8英寸碳化硅晶圓10000片/周。

總體而言,雖說目前碳化硅MOSFET價格相比于硅IGBT價格仍然較高,但碳化硅功率器件在耐壓等級、開關(guān)損耗和耐高溫性方面具備明顯優(yōu)勢。新能源汽車已成為碳化硅功率器件最主要的市場。

在目前各大主流車廠積極布局800V電壓平臺的背景下,券商認(rèn)為碳化硅的性價比突出,市場前景廣闊,而配套的直流充電樁市場將進一步加速碳化硅需求增長。

與此同時,光伏、儲能等也是碳化硅的新應(yīng)用場景。碳化硅功率模塊可使逆變器轉(zhuǎn)換效率提升至99%以上,能量損耗降低30%以上,同時具備縮小系統(tǒng)體積、增加功率密度、延長器件使用壽命、降低系統(tǒng)散熱要求等優(yōu)勢。國泰君安預(yù)計,2026年光伏用第三代半導(dǎo)體市場空間將接近20億元,五年CAGR超過30%。另外,隨著可再生能源發(fā)電占比提高以及智能電網(wǎng)的應(yīng)用,儲能系統(tǒng)與電力電子變壓器進一步拓寬了碳化硅的市場。

據(jù)《科創(chuàng)板日報》不完全統(tǒng)計,A股碳化硅相關(guān)廠商包括:

天岳先進具備碳化硅襯底制備全流程核心關(guān)鍵技術(shù),已與英飛凌、博世集團等加強合作;

三安光電與意法半導(dǎo)體攜手成立一家合資制造廠,大規(guī)模量產(chǎn)8英寸碳化硅產(chǎn)品;

合盛硅業(yè)2萬片寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅襯底及外延片產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)線項目已通過驗收;

斯達半導(dǎo)SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目順利開展,使用公司自主芯片的車規(guī)級SiC-MOS模塊預(yù)計2023年開始向客戶批量供貨;

德龍激光碳化硅晶錠激光切片技術(shù)已完成工藝研發(fā)和測試驗證,并取得頭部客戶批量訂單;

晶盛機電成功研發(fā)出8英寸單片式碳化硅外延生長設(shè)備,可實現(xiàn)摻雜均勻性4%以內(nèi)的外延質(zhì)量,可兼容6、8寸碳化硅外延生產(chǎn);

晶升股份已形成8-12英寸28nm制程以上半導(dǎo)體級單晶硅爐、6英寸碳化硅單晶爐量產(chǎn)銷售。

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